P-N keçidin polyarlaşması

PN keçidi — Elektronika sənayesində istifadə edilən diod, tranzistor və inteqral (İC) dövrə elementlərinin istehsalında istifadə edilir.

Silisium və ya Germanium kristalına kifayət qədər aşqar olunaraq, p-tipli və n-tipli maddələr yaradılmışdı. Bu maddələr tək halda elektrik funksiyaları yerinə yetirməzlər. P və N tipli element bir arada istifadə edilsə, bu keçidə P-N keçidi deyilər. Böyük və kiçik daşıyıcılarının ikisi də göstərilmişdir. Şəkildə P-N keçidi sahəsində müsbət və mənfi ionlarla yaradılan gərginlik səddi görülür. Yaranan bu gərginlik səddi; 25℃-də silisium üçün maneə 0.7 volt, germanium üçün 0.3 volt civarındadır. Bu gərginliyə "diodun əks gərginliyi" deyilir.

Diodun əks gərginliyi temperaturdan təsirlənir. Məsələn, temperatur miqdar-ındakı hər 1℃ artım, diodun əks gərginliyinin təxminən 2.3mv azalmasına səbəb olur. Diodun əks gərginliyi çox əhəmiyyətlidir. Çünki P-N keçidinə kənardan tətbiq olunan gərginliyin yaradacağı cərəyan miqdarının stabil olmasını təmin edir.^[1]

Bu məqalə qaralama halındadır. Lütfən, məqaləni ümumvikipediya və redaktə qaydalarına uyğun şəkildə tərtib edin. Əgər mümkündürsə, daha dəqiq bir şablondan istifadə edin.