Rəhim Mədətov

Bu məqaləyə hansısa kateqoriya əlavə edilməmişdir. Məqaləyə kateqoriyalar əlavə edərək töhfə verə bilərsiz.

Bu məqalədəki məlumatların yoxlanıla bilməsi üçün əlavə mənbələrə ehtiyac var. Lütfən, məqaləyə etibarlı mənbələr əlavə edərək onu təkmilləşdirməyə kömək edin. Mənbəsiz məzmun problemlər yarada və silinə bilər. Problemlər həll edilməmiş şablonu məqalədən çıxarmayın. Daha ətraflı məlumat və ya məqalədəki problemlərlə bağlı müzakirə aparmaq üçün məqalənin müzakirə səhifəsinə diqqət yetirə bilərsiniz.

Bu məqaləni vikiləşdirmək lazımdır. Lütfən, məqaləni ümumvikipediya və redaktə qaydalarına uyğun şəkildə tərtib edin.

Mədətov Rəhim Səlim oğlu 1949-cu ildə Azərbaycan Respublikasının Şəki şəhərində anadan olmuşdur. 1966-cı  ildə orta məktəbi bitirmiş və həmin il Azərbaycan Dövlət Universitetinin (BDU) Fizika fakültəsinə qəbul olunmuşdur. 1971-ci ildə təhsilini tamamlamış və Dəvəçi rayon Xalq Maarif şöbəsində fizika müəllimi vəzifəsində çalışmışdır. O, 1973-cü ildən Azərbaycan Milli Elmlər Akademiyasında elmi fəaliyyətini davam etdirir.

Elmi fəaliyyətinin ilk dövrünü Azərbaycan EA-nın Fizika İntitutunda akademik H.B.Abdullayevin və prof. E.Y. Bəkirovun rəhbərliyi ilə keçirmişdir.1977-ci ildə Azərbaycan EA-nın Rəyasət Heyətinin qərarı ilə EA-nın Radiasiya Tədqiqatları Sektoruna kiçik elmi işçi vəzifəsinə təyin edilmişdir. İlk tədqiqat işlərində özünü nəzəri və praktiki cəhətdən hazırlıqlı eksperimentator kimi göstərmişdir. Bu keyfiyyəti nəzərə alan Elmi Şura ona “Ge-Si bərk məhlulu əsasında fotoqəbuledicilərin hazırlanması və onların elektrik və fotoelektrik xassələrinin tədqiqi” mövzusunda elmi tədqiqat institutlarına, o cümlədən Moskva “ Старт” (Start) Elmi Yaradıcılıq Birliyinə ezam olunur və Ge-Si bərk məhlulu əsasında p-n keçidlərin hazırlanma texnologiyasının elmi əsasını yaradır. 1981-ci ildə “Ge-Si bərk məhlulu əsasında hazırlanmış fotodiodların fotoelektrik xassələri” mövzusunda namizədlik dissertasiyasını müdafiə edir və SSRİ Ali Attestasiya Komitəsinin qərarı iləfizika-riyaziyyat elmləri namizədi, 1983-cü ildə isə baş elmi işçi adına layiq görülüb. 1982-1985-ci illər ərzində əldə etdiyi elmi nəticələr Azərbaycan və SSRİ-nin EA-nın mühüm nəticə kimi qəbul edilmiş və müxtəlif mükafatlara layiq görülmüşdür.

 1992-ci ildə Mədətov R.S. “Ge-Si bərk məhlulu əsasında hazırlanmış p-n keçidlərdə fotovoltaik və radiasiya effektləri” mövzusunda doktorluq dissertasiya işini müdafiə edir və fizika-riyaziyyat elmləri doktoru adına layiq görülür. 1992-ci ildə Elmi Şuranın qərarına əsasən aparıcı elmi işçi vəzifəsinə təyin edilir. 1994-cü ildə “Yarımkeçiricilərin radiasiya fizikası” laboratoriyasına rəhbər təyin olunur və hazırda qeyd edilən vəzifəni icra edir.

Elmi fəaliyyəti dövründə Mədətov R.S. 150 elmi məqalənin və monoqrafiyanın, o cümlədən 15 müəlliflik şəhadətnaməsinin, 2 patentin müəllifi olmuşdur. Aldığı elmi nəticələrə müxtəlif elmi jurnal və monoqrafiyalarda istinad edilmişdir. 12 elmlər namizədi, 2 elmlər doktoru yetişdirmiş və hazırda 4 aspirantın elmi rəhbəridir.

Mədətov R.S. pedaqoji fəaliyyətlə də məşğul olur. Belə ki, o, 2004-2008-ci illər ərzində Naxçıvan və Bakı Türk lisey şagirdlərinin Beynəlxalq Ekoloji Elmi Layihə olimpiadalarına hazırlamış və onlar Bosniyada-2 qızıl (2006), İstanbulda-1 bürünc (2006), Bosniyada-1 gümüş (2005) və Braziliyada-1 bürünc (2005) medallara layiq görülmüşlər. Hazırda o, Azərbaycan Milli Aviasiya Akademiyasının “Fizika” kafedrasında  professor vəzifəsində pedaqoji fəaliyyətini davam etdirir.

Mədətov R.S. AMEA-nın, eyni zamanda Radiasiya Problemləri İnstitutunun ictimai işlərində fəal iştirak edir. O, 1993-cü ildə institutun Elmi Şurasının  və Həmkarlar Təşkilatının İdarə Heyətinin, 2006-cı ildən isə Azərbaycan Respublikası Prezidenti Yanında Ali Attestasiya Komitəsində “Ekspert” şurasının üzvüdür.

AMEA-nın ictimai həyatında fəal iştirak etdiyinə, elmi yaradıcılığında əldə etdiyi nəticələrin elmi və praktiki əhəmiyyətinə görə AMEA-nın Fəxri fərmanlarına layiq görülmüşdür.[1]

Yarımkeçirici materiallarda və onlar əsasında hazırlanmış strukturlarda fotovoltaik və radiasiya effektlərinin tədqiqi ilə məşğul olub. İlk dəfə GeSi bərk məhlulları əsasında fotoqəbuledicilər hazırlanmış və onlarda fotovoltaik və radiasiya effektləri yaranma şərtləri müəyyən olunmuşdur. Alınmış nəticələr əsasında fotoçeviricilərin praktikitədbiq üsulları işlənilmişdir.İlk dəfə Ge-Si strukturlarında elektron və qamma-kvantların təsiri ilə radiasiya stimüllaşdırıcı effekt müşahidə edilmişdir. A³B⁶ laylı kristallarında radiasiya effektləri öyrənilmişdir. Həmin effektlərin öyrənilməsi zamanı qamma-kvantlardan, elektron və proton şüalarından istifadə edilmişdir. Müəyyən edilmişdir ki, qamma-kvantların laylı kristallara ilkin təsiri nəticəsində keçiriciliyin qismən kompensasiyası baş verir, yüksək şüalanma dozalarında isə ilkin komplekslərin dissosiasiyası nəticəsində keçiricilik artır. Fotokeçiriciliyə təsir mexanizmi isə şüalanma zamanı yaranan defektlərin təbiətindən asılı olduğu müəyyən edilmişdir. Tədqiqatlar zamanı alınan nəticələr əsasında laylı kristalların davamlığının artırılma üsulu yaradılmışdır. Proton şüalarının təsiri Rezerfort əks səpilmə üsulu ilə tədqiq edilmişdir. Müəyyən edilmişdir ki, şüalanma zamanı yaranan defektlər anion təbiətlidir və defektlərin kristalın səthyanı və həcmdə  paylanma qaydası aşkar edilmişdir. Şüalanma dozasının qiymətinə görə amorflaşmanın astana qiyməti təyin edilmişdir. Alınmış nəticələr laylı kristallarda kvant çuxurunun yaradılmasında istifadə edilir. Yaradılan kvant çuxurlarının xassələrinin tədqiqi istiqamətində tədqiqatlar davam etdirilir. Belə çuxurların yaradılması radiasiya texnologiyasının tədbiqi ilə işıqsaçan diodların və fotoqəbuledicilərin yaradılmasına imkan verəcəkdir.  

1. Madatov R.S.,  Nadzhafarov A. I., Tagiev T. B., and Gazanfarov M. R. The Mechanism of a Current Passing in TlInSe₂ Monocrystalsin Strong Fields. Surface Engineering and Applied Electrochemistry, 2010, Vol. 46, No. 5, pp. 497–500.
2. Р.С.Мадатов, А.И. Наджафов, Т.Б.Тагиев, М.Р., Газанфаров .Влияние ионизирующего излучения на механизм токопрохождения в монокристаллах TlInSe₂. ФТТ.  2011., с. 90-95.
3. Madatov R.S.,  Nadzhafarov A. I., Tagiev T. B., and Gazanfarov M. R, The impact of ionizing radiation on the mechanism of current transition in TlInSe₂ monocrystals . Recent Advances in Manufacturing Engineering.2010, pp. 69–75.
4. ^[1] R. Madatov, M.Sojoudi , T.Sojoudi , P.Farhadi, Achieving steady and stable energy from AlGaAs-GaAs solar cells. ETASR international journal engineering, technology and Applied science Research, 2011,№6, p. 151-154

1. ↑ "Arxivlənmiş surət". 2020-09-20 tarixində arxivləşdirilib. İstifadə tarixi: 2017-05-23.