Zöhrab Vəliyev

Zöhrab Əhməd oğlu Vəliyev — ABŞ-nin Nyu-York Elmlər Akademiyasının həqiqi üzvü, AMEA-nın müxbir üzvü, professor.^[1][2]

Zöhrab Vəliyev
Zöhrab Əhməd oğlu Vəliyev
Doğum tarixi	4 iyun 1953
Doğum yeri	Naxçıvan, Naxçıvan MSSR, Azərbaycan SSR, SSRİ
Vəfat tarixi	2003
Vətəndaşlığı	SSRİ Azərbaycan
Milliyyəti	azərbaycanlı
Elmi dərəcəsi	fizika-riyaziyyat elmləri doktoru
Elmi adı	professor
Təhsili	M.V.Lomonosov adına Moskva Dövlət Universiteti
Mükafatları	1999
Vikianbarda əlaqəli mediafayllar

Zöhrab Əhməd oğlu Vəliyev 1953-cü il iyunun 4-də Naxçıvan şəhərində anadan olmuşdur. O, ali təhsilini M.V.Lomonosov adına Moskva Dövlət Universitetinin Fizika fakültəsində almışdır 1977-ci ildən Azərbaycan Milli Elmlər Akademiyasının Fizika İnstitutunda, 1986-cı ildən ömrünün sonunadək isə Naxçıvan Dövlət Universitetində fəaliyyət göstərmiş, universitetin Elmi Şurasının elmi katibi, Texniki təlim fakültəsində dekan müavini və Fizika-riyaziyyat fakültəsində dekan vəzifələrini daşımışdır. Z.Vəliyev 1997-ci ildən etibarən Naxçıvan Dövlət Universitetinin Elmi işlər üzrə prorektoru olmuşdur. 2003-cü ildə AMEA-nın müxbir üzvü seçilmişdir. AMEA-nın müxbir üzvü Zöhrab Vəliyev 2003-cü ildə vəfat etmişdir.

• Elmi əsərlərinin sayı-93
• Xaricdə dərc olunan əsərlərinin sayı-24
• Beynəlxalq bazalarda indeksləşən jurnallarda (Web of Science, Scopus və s.) dərc olunan əsərlərinin sayı-17
• Kadr hazırlığı-1 fəlsəfə doktoru

Z.Vəliyevin əsas elmi tədqiqatları xarici elektrik, klassik və kvantlayıcı maq­nit sahələrində qıraq yüklü dislokasiyalı yarımkeçiricilərin elektrik, fotoelektrik və optik xassələrinin ardıcıl nəzəriyyəsinin qurulması; elektron və deşik keçiriciliyinə malik yarımkeçirici kristallarda hərəkət edən yüklü dislokasiya- Iarm modelinin verilməsi və onun əsasında deformasiya lüminesensiya hadi­səsinin, elektronların dinamik həyəcanlaşma effektinin, dislokasiya xarakterli sövq cərəyanlarının araşdırılması; parçalanmış dislokasiyalar sisteminin təd­qiqi və alınan nəticələr arasında yarımkeçirici birləşmələrdə dislokasiyaların tipinin təyini üçün yeni rezonans üsulunun verilməsi; qıraq dislokasiyalarda elektronların Viqner kristallaşmasının tədqiqi və bu kristallaşmanı müşahidə etmək üçün yeni rezonans üsulunun təklifi; qıraq dislokasiyalı yarımkeçiricilərdə rekombinasiya dalğalarının yayılmasının tədqiqi; yarımkeçirici kristal­larda istiqamətlənmiş qıraq yüklü dislokasiyalar sisteminin əmələ gətirdiyi yəhərvari nöqtəyə malik potensial çəpərin elektrofiziki parametrlərinin təd­qiqi, bu tip kristallarda Volt-amper və Volt-farad xarakteristikalarının təyini və cərəyanın keçmə məsələsinin nəzəriyyəsinin verilməsi; həm akustik fononlardan elastik səpilmə zamanı, həm də optik fononlardan qeyri-elastik səpilmə zamanı elektron keçiriciliyinə malik qıraq yüklü dislokasiyaları yarımkeçirici kristallarda qeyri-əsas yükdaşıyıcıların xarici sahə olmadıqda, xarici elektrik sahəsində, xarici klassik və kvantlayıcı maqnit sahələrində, xarici elektromaq­nit sahəsində və eyni zamanda, onların müxtəlif kombinasiyalarında rekombi­nasiya hadisəsinin nəzəriyyəsinin işlənilməsidir.

1. Cascade capture of electrons by dislocations in many-valley semiconductors // SEMICONDUCTORS, 1999, v.33, n.12, p. 1291-1292
3. The electron density of semiconductors with charged dislocations placed in external fields // SEMICONDUCTORS, 1999, v.33, n.11, p. 1175-1177
5. Термическая ионизация дырок из дислокационного центра в электрическом поле // ФТП, 1990, т.24, в.3, стр. 347-348
7. Коэффициент захвата дырок на плотных дислокационных рядах в полупроводниках при наличии квантующего магнитного поля // ФТП, 1989, т.23, в.8, стр. 947-948