MDY-Tranzistorlarda (ing. MISFET( metal–insulator–semiconductor field-effect transistor)[1]) idarəedici elektrod cərəyan keçirən kanalın keçidə yaxın yerləşən qatından dielektrik qatı vasitəsi ilə izolə edilir. Ona görə MDY-tranzistorları izolə olunmuş idarəedici elektrodlu tranzistorlar sırasına aid edilirlər.
MDY-Tranzistorlar MOY-Tranzistorlardan daha ümumi termindir: belə ki, bütün MOY-tranzistorlar MDY-tranzistorlardır, ancaq bütün MDY-tranzistorlar MOY-tranzistorlar deyil.
MDY-tranzistorlar silisiumdan hazırlanır, dielektrik kimi isə silisium oksidindən istifadə edilir.
MDY-tranzistorların iş prinsipi eninə yönəlmiş elektrik sahəsinin təsiri altında yarımkeçiricinin dielektriklə sərhəddə səthyanı qatının keçiriciliyinin dəyişməsinə əsaslanır. Yarımkeçiricinin səthyanı qatı MDY-tranzistorlarda cərəyan keçirən kanal rolunu oynayır.
MDY-tranzistorlar ümumi halda dördelektrodlu cihazlardır. Dördüncü elektrod rolunu əsas yarımkeçirici lövhəyə birləşdirilən altlıq oynayır. Altlıq, adətən, 0 potensiala qoşulur. MDY-tranzistorlar p və n kanallı olurlar. MDY-tranzistorların üç qoşulma sxemi mövcuddur: