Rəşad Rəhimov (fizik)

Bu məqalədəki məlumatların yoxlanıla bilməsi üçün əlavə mənbələrə ehtiyac var. Lütfən, məqaləyə etibarlı mənbələr əlavə edərək onu təkmilləşdirməyə kömək edin. Mənbəsiz məzmun problemlər yarada və silinə bilər. Problemlər həll edilməmiş şablonu məqalədən çıxarmayın. Daha ətraflı məlumat və ya məqalədəki problemlərlə bağlı müzakirə aparmaq üçün məqalənin müzakirə səhifəsinə diqqət yetirə bilərsiniz.

Bu məqaləni vikiləşdirmək lazımdır. Lütfən, məqaləni ümumvikipediya və redaktə qaydalarına uyğun şəkildə tərtib edin.

Rəşad Rəhimov (tam adı: Rəşad Nizaməddin oğlu Rəhimov; 27 dekabr 1948) — fizika üzrə elmlər doktoru.

Rəşad Rəhimov
Rəşad Nizaməddin oğlu Rəhimov
Doğum tarixi	27 dekabr 1948 (75 yaş)
Doğum yeri	Şəki, Azərbaycan SSR, SSRİ
Vətəndaşlığı	SSRİ→ Azərbaycan
Milliyyəti	azərbaycanlı
Elm sahələri	yarımkeçiricilər və dielektriklər fizikası
Elmi dərəcəsi	fizika üzrə elmlər doktoru
Elmi adı	dosent
İş yerləri	AMEA Fizika İnstitutu, AZ1143, Bakı ş., H.Cavid pr., 131

Rəşad Rəhimov 1948-ci il dekabrın 27-də Şəki şəhərində doğulmuş, 1966-cı ildə Şəki şəhər 11 saylı orta məktəbi, 1973-cü ildə Azərbaycan Dövlət Universitetinin fizika fakültəsini bitirmişdir.

1983-cü ildə "İnSb-İn2GeTe bərk məhlullarda elektron və fonon prosesləri" mövzusunda namizədlik dissertasiyası, 2010-cu ildə "III-V qrup yarimkeçirici birləşmələr əsasinda bərk məhlullarda və evtektik kompozitlərdə elektron, fonon proseslərin xüsusiyyətləri" mövzusunda doktorluq dissertasiyası müdafiə etmişdir. 2006-cı ildə Dosent adını almışdır.

1. InSb-In2GeTe bərk məhlulun zona quruluşunda kvazilokal səviyyələrin müəyyən edilməsi;

2. III-Y qrup elementləri əsasında üçqat və dördqat bərk məhlullarda fononların rezonans səpilməsinin müəyyən edilməsi;

3. III-Y qrup elementləri və 3d keçid metalları əsasında evtektik kompozitlərdə eksperimental olaraq metal qatmalar ətrafında fazalararası zonanın aşkar olunması;

4. kinetik parametrlərdə yaranan anizotropluqda fazalararası zonaların əhəmiyyətli rolunun göstərilməsi;

5. GaSb-FeGa1.3<Co> əsasında termostabil tenzomüqavimətlərin yaradılması;

6. 80–700K temperatur bölümündə bərk cisimlərin temperatur keçiriciliyini ölçmək üçün "işıq impulsu ilə qızdırma" metodu əsasında "Alfa" cihazının hazırlanması.

• Elmi məqalələrin sayı-140

• Beynəlxalq konfranslarda iştirakının sayı-50

• Xaricdə çıxmış elmi əsərlərinin sayı-26

• İxtiraların sayı-1

• Kadr hazırlığı- 2 fəlsəfə doktoru

• Qrant və layihələrdə iştirakı

1. NATO-nun əməkdaşlığa dəstək qrantı PST. CLGN 978434

2. AMEA Fizika İnstitutu və Belarus Fundamental Tədqiqatlar Fondu ilə birgə layihə, grant Т10Аz-15

3. Azərbaycan Respublikasının Prezidenti yanında Elmin İnkişafı Fondunun qrantı №EİF-2011–1(3)/82/05/1

1. The GaSb-CoGa1.3 eutectic composite as a promising material for tensometry, Moldavian Journal of the Physical Sciences, Vol. 12, No1–2, 2013, 26–31.ç

2. InSb-FeSb kompozitin nazik təbəqəsinin alinmasi və strukturu Fizika, 2013, v15, section; Az, p68–70.

3. Structural features and electrical conductivity of the GaSb-FeGa1.3 and GaSb-CoGa1.3 eutectic composites Moldavian Journal of the Physical Sciences, 2012, Vol. 11, N3, 157–162.

4. Influence of Doping on the Microstructure and Kinetic Parameters of GaSb–FeGa1.3 Eutectics. Crystallography Reports, 2012, Vol. 57, No. 7, pp. 923–926.

5. Cu5SmSe4 birləşməsində kinetik xassələrin xüsusiyyəti, AMEA-nın Xəbərləri, FRTE seriyası, 2011, 31, nö5, 78–81.

6. Рентгено-дифрактометрические исследования и топография поверхности эвтектического композита GaSb-FeGa1.3, Cборник докладов Международной научной конференции "Актуальные проблемы физики твердого тела" 2011 г., Минск, Том 1195–197.

7. Тензодатчики в медицине AMEA-nın Xəbərləri, FRTE seriyası, 2010, 30, nö2, 130–132.

8. Анализ решеточный теплопроводности твердых растворов Ga1-хInxAs. // Fizika, 2009, 15, 2, 35–37.

9. Yarimkeçirici-metal tipli kompozitlərin elektron və fonon proseslərində fazalararası zonaların rolu. // AMEA-nın Xəbərləri, FRTE seriyası, 2009, 29, nö5, s.20–32 .

10. Thermostable tensoresistors of Co doped GaSb- FeGa1.3 eutectic composites. Sensors and Actuators A: Physical Volume 147, Issue 2, 3 October 2008, Pages 436–440.

11. InSb-MnSb və GaSb-FeGa1.3 evtektik kompozitlərin elektrik keçiriciliyində fazalar arası zonaların təsiri. Fizika, 2007, 13, nö4, s.8–11.

12. Thermal properties of eutectic compositions based on InSb and GaSb. AMEA-nın Xəbərləri, FRTE seriyası, 2007, Nö2, s.72–80. 13. Phonon scattering in (InSb)2(1-x) (In2GeTe)x solid solution. Ukr. J. Phys. 2005, v50, no 6, p598–601.

14. Thermal conductivity of In1-хGaxAs solid solution. Fizika 2005, 11, No 1–2, p38–41.

15. Thermal radiation detectors on the basis of the InSb-FeSb eutectics. Proceeding of SPIE, 2004, v.5834, p.110–116.

16. Strain gauges of GaSb-FeGa1.3 eutectic composites. Appl. Phys.:A, 2004, 79, No 8, p2075–2079.

17. The optical study of InSb-In2GeTe solid solutions. Ukr. J. Phys. 2004, v.49. no2, p118–120.

18. Электрические и тепловые свойства эвтектики GaSb-FeGa. Изв. РАН сер. Неорганические Материалы, 2004, № 4, c. 395–399.

19. Features of electron and phonon processes in GaSb-FeGa. J. Phys. D: Applied Phys., 2003, 36, p.2627–2633.

20. Особенности рассеяния фононов в твердом растворе GaSb-Ga2Te3. Изв. РАН, сер. Неорганические Материалы 1997, т93, № 5, с.539–540.

21. Теплопроводность твердого раствора In1-хGaxAs. Изв. РАН, сер. Неорганические Материалы 1990, т.26, 1548–1550.

22. Особенности рассеяния фононов в твердом растворе GaxIn1-хAs. ФТП, 1990, т24, № 2 с.365–367.

23. Рассеяние фононов в эвтектике GaSb-FeGa. ФТТ, 1989,т.31, № 12, с168–17.

http://www.science.gov.az/forms/doktora-nauk-instituta-fiziki/903