Səlimə Mehdiyeva

Səlimə İbrahim qızı Mehdiyeva — fizika-riyaziyyat elmləri doktoru, professor, Azərbaycan Milli Elmlər Akademiyası Fizika İnstitutunun Qeyri-kristallik yarımkeçiricilərin fizikası laboratoriyasının rəhbəri, professor (1993), Azərbaycan Milli Elmlər Akademiyasının müxbir üzvü (2017). ^[1]

Səlimə Mehdiyeva
Səlimə İbrahim qızı Mehdiyeva
Doğum tarixi	21 may 1941 (83 yaş)
Doğum yeri	Naxçıvan, Naxçıvan MSSR, Azərbaycan SSR, SSRİ
Vətəndaşlığı	SSRİ→ Azərbaycan
Milliyyəti	azərbaycanlı
Elmi dərəcələri	professor, AMEA-nın müxbir üzvü
İş yeri	Azərbaycan Milli Elmlər Akademiyası Fizika İnstitutu
Təhsili	Bakı Dövlət Universiteti, Yarımkeçiricilər və dielektriklər fizikası fakültəsi

Səlimə İbrahim qızı Mehdiyeva 1941-ci ildə Naxçıvanda anadan olmuşdur. 1963-cü ildə BDU-nun fizika fakultəsini bitirdikdən sonra Az. MEA Fizika İnstitutunun aspiranturasına daxil olmuş, 1967-ci ildə Vilnus Dövlət Universitetində fizika və texnika baxımından çox maraqlı material olan selen yarımkeçiricisinin tətqiqi ilə bağlı namizədlik dissertasiyasını müdafiə etmişdir. 1988-ci ildə fizika-riyaziyyat elmləri doktoru elmi dərəcəsini, 1993-cü ildə isə professor elmi adını almışdır. 1969-1978-ci illərdə Fizika İnstitutunda elmi katib, 1976-cı ildən isə həm də laboratoriya rəhbəri kimi fəaliyyət göstərmişdir. 1995-2002-ci illərdə Fizika İnstitutunun elmi işlər üzrə direktor müavini olmuş, hazırda “qeyri-kristallik yarımkeçiricilərin fizikası” laboratoriyasının rəhbəridir.

• Elmi məqalələrin sayı - 224
• Beynəlxalq bazalarda referatlaşdırılan və indeksləşdirilən jurnallarda çap olunan məqalələrin sayı - 61
• Xaricdə çıxmış elmi əsərlərinin sayı - 127
• Müəlliflik şəhadətnamələrinin və patentlərin sayı - 14
• Kadr hazırlığı- 13 fəlsəfə doktoru, 1 elmlər doktoru

İlk dəfə selendə köçürmə hadisələrinin, tarazlıqda olmayan müxtəlif elektron proseslərinin mexanizmləri, keçiricilik tipinin mənşəi, amorf, kristal, maya selenin elektrik, optik, istilik və mexaniki xassələrinə xarici faktorların təsir mexanizmləri müəyyənləşdirilmişdir. Selenin xassələrindəki anomallıqların səbəbinin onda olan oksigenin miqdarı və vəziyyəti ilə bağlı olduğu aşkar edilərək, seleni oksigendən təmizləmək üçün xüsusi qurğu təklif edilmişdir. Alınan nəticələr selenin xassələrini məqsədyönlü dəyişmək yollarının müəyyənləşdirilməsi və cihazların parametrlərinin yaxşılaşdırılması istiqamətində təkliflər verməyə imkan yaratmış və keçmiş ittifaqda yeni yüksək səmərəli selen cihazlarının hazırlanması üzrə xüsusi istehsal sahəsi də yaradılmışdı. (Yoşkar-Ola ş.)

Son illərdə selen əsasında şüşəvari halkogenid yarımkeçirici sistemlərdə electron prosesləri araşdırılır. Belə ki, kristallaşmaya davamlı, fotohəssas, yüksək müqavimətli binar və üçqat HŞY sistemlərin alınma texnologiyası işlənmiş, nadir torpaq elementləri aşqarları əlavə edilməklə bu sistemlərin elektron xassələrinin məqsədyönlü dəyişdirilməsinə və tətbiq oblastlarının genişləndirilməsinə nail olunmuşdur. Hallogen aşqarlarının ŞHY sistemlərin dreyf yürüklüyü, injeksiya cərəyanları, fotokeçiricilik və optik xassələrə təsirinin kompleks tədqiqi nəticəsində vidikonlar üçün yüksək həssaslığa malik fotohədəf hazırlanmışdır. İşığın Raman səpilməsinə, rentgen şüalarının difraksiyasına, xətti və qeyri-xətti sındırma əmsallarına kimyəvi tərkibin və legirələnmənin təsirinin, həmçinin ellipsometriya üsulu ilə həmin maddələrin optik parametrlərinin tədqiqi nəticəsində yaxın və orta infraqırmızı oblastda həssas olan fiber-ötürücülər üçün yararlı materiallar təklif olunmuşdur.

1. Isayev A.I., Mekhtiyeva S.I., Jalilov N.Z., Alekberov R.I. Localized states in the band gap of chalcogenide glasslike semiconductors of Se-S system with Sm impurity. Solid State Communications, v.149 (2009), p. 45-48.

2. Mammadov E.A., Taylor P.C., Mekhtiyeva S.I., Reyes A. Magnetic resonance study of arsenic bonding sites in ternary chalcogenide glasses. Solid State Communications, v.151, (2011), p. 1459-1462.

3. Исаев А.И., Мехтиева С.И., Гарибова С.Н., Алекперов Р.И. Исследование оптических параметров халькогенидной стеклообразной полупроводниковой системы Se-As, содержащей примеси EuF3. Физика и техника полупроводников, т.45, в.8 (2011).

4. Исаев А.И., Мехтиева С.И., Гарибова С.Н., Зейналов В.З. Электропроводность халькогенидной стеклообразной системы Se95As5, содержащей примеси редкоземельных атомов EuF3 в сильных электрических полях. Физика и техника полупроводников. т.46, в.9 (2012), стр.1138-1142.

5. R.I.Alekberov, A.I.Isayev, S.I.Mekhtiyeva, G.A.Isayeva. Modification of amorphous film structure of chalcogenide glass-like semiconductors due to the change of their chemical composition. Chalcogenide Letters, v.10, №9 (2013), p. 335-339.

6. Azərbaycan Milli Ensiklopediyasında respublikada fizikanın inkişaf tarixini özündə əks etdirən “Fizika” məqaləsi (Azərbaycan və rus dillərində).

7. Мехтиева С.И., Атаева С.У., А.И.Исаев., В.З.Зейналов. Влияние примеси самария на структуру и морфологию поверхности халькогенидного стеклообразного полупроводника Se₉₅Te₅. Физика и техника полупроводников. т.51, в.6 (2017).

8. S.I.Mekhtiyeva., A.I.Isayev., M.Fabian., Q.Tian., L.Almasy. Small angle neutron scattering and raman measurements of As-Se-Te chalcogenide glassy semiconductors doped by samarium. Chalcogenide Letters. v.13, №3, (March 2017), p. 79-85.

9. S.I.Mekhtiyeva., A.I.Isayev., M.Fabian., Alekberov R.I. The local structure of As-Se-S chalcogenide glasses studied by Neutron Diffraction and Raman scattering. Journal of Non. Cryst. Sol. v.470, №15, (2017), p. 152-159.

Rusiya EA «Знание» cəmiyyəti

1995-ci ildən başlayaraq BDU-da vaxtaşırı saathesabı pedaqoji fəaliyyətlə məşğul olub.

1. AMEA-nın Xəbərləri jurnalının fizika-riyaziyyat və texnika elmləri seriyasının redaksiya heyətinin üzvü;

2. “Fizika” jurnalının redaksiya heyətinin üzvü.

AMEA-nın fəxri fərmanı