Solmaz Mustafayeva

•Elmi əsərlərinin sayı- 680

Solmaz Mustafayeva
Doğum tarixi	1 yanvar 1950 (74 yaş)
Doğum yeri	Dalyan, ÇXR
Vətəndaşlığı	SSRİ→ Azərbaycan
Milliyyəti	azərbaycanlı
Atası	Nəriman Mustafayev
Anası	Hökumə Mustafayeva
Elm sahələri	yarımkeçiricilər və dielektriklər fizikasi
Elmi dərəcəsi	fizika- riyaziyyat elmləri doktoru
Elmi adı	aparıcı elmi işçisi
İş yeri	Azərbaycan Milli Elmlər Akademiyası Fizika İnstitutu
Tanınmış yetirmələri	2 fəlsəfə doktoru, 2 elmlər doktoru

•Xaricdə dərc olunan əsərlərinin sayı- 525

•Beynəlxalq bazalarda indeksləşən jurnallarda (Web of Science, Scopus və s.) dərc olunan əsərlərinin sayı - 150

•Müəlliflik şəhadətnamələrinin və patentlərin sayı- 35

•Elmi-pedaqoji fəaliyyəti = 2 il pedaqojı stajı - Bakı Ali Hərbi Məktəbində

•Dil bilikləri = azərbaycan, rus və ingilis dilləri

Mürəkkəb tərkibli xalkogenid AIIIBVI və TlBIIIC2VI yarımkeçiricilərdə relaksasiya electron proseslərinin nəzəri və təcrübi əsaslarını işləyib hazırlamış və xüsusi xassələrə malik olan interkalyasiya olunmuş laylı və zəncirvari strukturaları dünyada ilk dəfə alıb və tədqiq etmişdir. Xarici amillərin (sabit və dəyişən elektrik sahəsi, elektromaqnit şüalanması, temperatur, təzyiq, rentgen şüalanması və s.) alınmış yarımkeçirici nazik təbəqə və kristallarına təsirinin fiziki qanunauyğunluqları tədqiq edilmiş və bu əsasda yeni tipli yarımkeçirici çevricilər və cihazlar ixtira edilmişdir.

1. Mustafaeva S.N.,  Asadov M.M.

Currents of Isothermal Relaxation in GaS (Yb) Single Crystals // Solid State Communications. 1983. V. 45. № 6. P. 491 - 494.

2. Mustafaeva S.N., Abdullaev G.B. Photostimulated polarization and depolarization in metal- GaSe -metal thin film structures // Thin Solid Films. 1984. V.117. № 2. P.81-85.

3. Mustafaeva S.N., Asadov M.M. High Field Kinetics of Photocurrent in GaSe Amorphous Films // Materials Chemistry and Physics. 1986. V.15. № 2. P. 185 – 189.

4. Mustafaeva S.N., Ramazanzade V.A., Asadov M.M. Influence of Intercalation on Electrical and Photoelectrical Properties of Ternary Chain and Layer Semiconductors // Materials Chemistry and Physics. 1995. V.40. № 2. P. 142 - 145.

5. Mustafaeva S.N., Asadov M.M., Ramazanzade V.A. . Dielectric properties and conductivity on alternating current of TlInS2 monocrystals // Fizika tverdogo tela. 1996. V.38. No 1. P. 14 – 18.

6. Mustafaeva S.N., Aliev V.A., Asadov M.M. Anisotropy of the hopping conductivity in TlGaSe2 single crystals // Physics of the Solid State. 1998. V.40. No 1. P. 41 – 44.

7. Mustafaeva S.N., Kerimova E.M., Gasanov N.Z. Exciton characteristics of Tl1-xCuxInS2 single crystals //Physics of the Solid State. 2001. V.43. No 3. P. 443-446.

8. Mustafaeva S.N., Kerimova E.M., Dzhabbarly A.I. Thermopower in the region of hopping conduction in TlNiS2 // Physics of the Solid State. 2003. V. 45. No 4. P. 615-618.

9. Mustafaeva S.N. Frequency dispersion of dielectric coefficients of layered TlGaS2 single crystals // Physics of the Solid State. 2004. V. 46. No 6. P. 1008-1010.

10. Mustafaeva S.N., Gasanov A.I. Relaxation phenomena in TlGa0.99Fe0.01Se2 single crystals // Physics of the Solid State. 2004. V. 46. No 11. P. 2002-2007.

11. Mustafaeva S.N. Photoelectric and x-ray dosimetric properties of TlGaS2<Yb> single crystals // Physics of the Solid State. 2005. V.47. No 11. P. 2015-2019.

12. Mustafaeva S.N. Dielectric properties of TlGa1–xMnxS2 (0  x  0.03) single crystals // Inorgan. materials. 2006. V.42. No5. P.470-473. 13. Mustafaeva S.N., Asadov M.M., Qahramanov K.Sh. Frequency-dependent dielectric coefficients of TlInS2 amorphous films // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2007. V.10. N.2. P. 58-61. 14. Mustafaeva S.N., Asadov M.M., Ismailov A.A. Charge transfer over localized states in a TlS single crystal //Physics of the Solid State. 2008. V. 50. No 11. P. 2040-2043. 15. Mustafaeva S.N. Dispersion of dielectric coefficients and ac-conductivity of TlGa1–хСохS2 single crystals in radio frequency band. Journal of Radioelectronics. 2009 .No4. P.1-10. 16. Mustafaeva S.N. Photoelectric and X-ray dosimetric properties of TlGa0.97Mn0.03S2 single crystals // Inorganic Materials. 2009. V. 45. No 6. P. 602-605. 17. Mustafaeva S.N., Gasymov Sh.G., Kerimova E.M., Asadov M.M. DC-Electrical Properties of TlGaTe2 Single Crystals under Hydrostatic Pressure // Physics Research International. Vol. 2011, Article ID 513848, 5 pages, 2011. doi:10.1155/2011/513848. 18. Mustafaeva S.N., Gasymov Sh.G., Kerimova E.M., Asadov M.M. Electrical properties of TlGaTe2 single crystals under hydrostatic pressure // Journal of Physics and Chemistry of Solids. 2011. V. 72. N 6. P. 657–660.

19. Mustafaeva S.N., Asadov M.M., Guseinov D.T. X-ray dosimetry of copper-doped CdGa2S4 single crystals // Journal Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. 2012. V.15. No 4. P. 358 – 359.

20. Mustafaeva S.N., Asadov M.M., Guseinov D.T. X-Ray Induced Conductivity of CdIn2S4 〈Fe〉 Crystals // Inorganic Materials. 2013. V. 49. No. 7. P. 643–646.

21. Mustafaeva S.N., Asadov M.M., Kerimova E.M., Gasanov N.Z. Dielectric and Optical Properties of TlGa1-xErxS2 (x = 0, 0.001, 0.005, 0.01) Single Crystals // Inorganic Materials. 2013. V. 49. № 12. Р. 1175–1179.

22. Mustafaeva S.N., Asadov M.M., Guseinov D.T. Modification of the dielectric properties of copper-doped CdIn2S4 single crystal // Physics of the Solid State. 2014. V.56. No 2. P.279 – 281. 23. Мустафаева С.Н. Дисперсия комплексной диэлектрической проницаемости и проводимости монокристаллов TlGaSe2 при радиочастотах // Журнал радиоэлектроники. 2015. № 1. C. 1-11. 24. Mustafaeva S.N., Asadov M.M., Guseinov D.T. Enhancing Roentgensensitivity of Gold-Doped CdIn2S4 Thiospinel for X-ray Detection Applications // Journal of Materials. Volume 2015. Article ID 956013, 4 pages. DOI.org/10.1155/ 2015/956013. 25. Mustafaeva S.N., Asadov M.M., Jabbarov A.I., and Kerimova E.M. Electrical Conductivity and Thermoelectric Power of (TlInSe2)0.2(TlGaTe2)0.8 Crystals // Inorganic Materials. 2015. V. 51. № 3. P. 220-224. 26. Mustafaeva S.N., Kerimova E.M. and Gasanov A.I. Synthesis, Roentgenophase Analysis and Physical Properties of TlIn1−xErxSe2 Solid Solutions // Acta Physica Polonica A. 2015. V. 128. № 4. P. 697-699. 27. Мустафаева С.Н., Асадов М.М., Гусейнов Д.Т., Касымоглу И. Диэлектрические свойства монокристалла CuInS2 в переменных электрических полях радиочастотного диапазона // Физика Твердого Тела (ФТТ). 2015. Т. 57. № 6. С. 1079-1083. 28. Mustafaeva S.N., Asadov S.M., Guseinov D.T., Kasimoglu I. Dielectric spectroscopy of CuInSe2 single crystals // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2016. V. 19. № 2. P. 201-204. 29. Мустафаева С.Н., Асадов С.М. Низкотемпературная проводимость сульфидов гадолиния // Физика и Техника Полупроводников. 2016. T. 50. № 9. C. 1159-1162. 30. Мустафаева С.Н. Методика измерения проводимости высокоомных материалов на переменном токе // Все материалы. Энциклопедический справочник. 2016. № 10. С. 74-79. 31.Mustafaeva S.N., Jafarova S.Q., Kerimova E.M. Influence of the composition of (TlGaS2)1-х(TlInSe2)x alloys on their physical properties // Mechanics, Materials Science & Engineering. 2017. No 7, 6 pages.

1. 1987-ci ildən Azərbaycan İxtiraçılar İttifaqının üzvüdür.

2. 1997- ci ildən Nyu-York Elmlər Akademiyasının həqiqi üzvüdür.

3.2006 – 2017 –ci illərdə Azərbaycan Respublikası Prezidenti yanında Ali Attestasiya Komissiyasının fizika üzrə ekspert şurasının üzvüdür.

1. 1994 –cü ildə çap olunmuş elmi əsərlərin dəyərinə görə Beynəlxalq Elmi Soros Mükafatını almışdır.

2. 2017-ci ildə İxtiraçılıq sahəsində nailiyyətlərə görə Azərbaycan Respublikasının Standartlaşma, Metrologiya və patent üzrə Dövlət Komitəsi tərəfindən diplomla təltif olunmuşdur.

3. Onun elmi fəaliyyətini əks etdirən bioqrafik məlumatlar Kembricdə dərc olunan “XX əsrin görkəmli adamları” kitabına daxil edilmişdir.