İzzət Əfəndiyeva

İzzət Əfəndiyeva (10 sentyabr 1950, Kirovabad) — Fizika üzrə elmlər doktoru, 1977-ci ildən BDU-da çalışır.^[1]

İzzət Əfəndiyeva
İzzət Məmməd qızı Əfəndiyeva
Doğum tarixi	10 sentyabr 1950 (73 yaş)
Doğum yeri	Azərbaycan Respublikası, Gəncə şəhəri
Vətəndaşlığı	Azərbaycan
Elm sahəsi	Fizika-riyaziyyat
Elmi dərəcəsi	Fizika üzrə elmlər doktoru
Elmi adı	professor

1950-ci il sentyabrın 10-da Azərbaycan Respublikası, Gəncə şəhərində anadan olmuşdur. 1967-ci ildə Azərbaycan Dövlət Universitetinin (indiki Bakı Dövlət Universiteti) Fizika fakültəsinin əyani şöbəsinə (rus bölməsində) daxil olmuş və 1972-ci ildə həmin universitetin məzunu olmuşdur. 1997-ci ildən Bakı Dövlət Universitetində çalışır.

• 1972-ci ildə Bakı Dövlət Universitetinin Fizika fakültəsini fizik, fizika müəllimi ixtisası almaqla bitirib.
• 1991-ci ildə Gənclər İnstitutu (Bakı ş.) Menecment və Biznes şöbəsini "Xarici iqtisadi fəaliyyətin təşkili və texnikası" ixtisasını almaqla bitirib.
• 1987-ci ildə "Keçid elementləri əsasında olan mürəkkəb oksidlərin–polyar dielektriklərin optik xassələri və elektron quruluşu" (01.04.10-yarımkeçiricilər və dielektriklər fizikası) namizədlik,
• 2013-cü ildə "Al-TiW-PtSi/n-Si, Al-TiW-Pd 2Si/n-Si, Al-TiW/n-Si, AlNi/n-Si, Al- TiCu/n-Si elektron quruluşu və daşınma mexanizmləri" (2211–01-bərk cisim fizikası) doktorluq dissertasiyası müdafiə etmişdir.
• 2009-cu ildə "Yarımkeçiricilər və dielektriklər fizikası" ixtisası üzrə dosent elmi adı alıb.

• 1972–1974-Gəncə şəhəri 17 saylı dəmir-yolu məktəbinin fizika müəllimi;
• 1974–1977-illərdə Azərbaycan Elmlər Akademiyası Fizika İnstitutu Xüsusi Konstruktor Bürosunun mühəndisi;
• 1977–1989-Bakı Dövlət Universiteti Yarımkeçiricilər Fizikası Elmi-Tədqiqat Laboratoriyasında (indiki Fizika Problemləri Elmi-Tədqiqat İnstitutu) kiçik elmi işçi, vəzifəsində işləmişdir.
• 1989–1997-ci illərdə Bakı Dövlət Universiteti Elmi-Tədqiqat Hissəsinində nəşriyyat və sərgi işləri üzrə qrup rəhbəri, 1-ci prorektorun müavini;
• 1997–2018-ci illərdə böyük elmi işçi, aparıcı elmi işçi, baş elmi işçi vəzifələrində işləmişdir.
• 2012-ci ildən BDU Elmi-Tədqiqat Hissəsinin rəisi vəzifəsində işləyir.
• 2018-ci ilin 17 sentyabr tarixindən Fiziki Elektronika kafedrasında 0,5 ştat professor vəzifəsində çalışır.
• 1992–1997-ci illərdə "Bakı Universitetinin Xəbərləri" jurnalı Baş Redaksiyasının məsul katibi olmuşdur.
• 1989–2005-ci illərdə Radiotexnika, Elektronika və Rabitə Elmi-Texniki Cəmiyyətin Rəyasət Heyətinin üzvü.
• 2007-ci ildən YAP-ın üzvüdür. 104 elmi əsərin müəllifidir. 2 aspirantla rəhbərlik etmişdir.

• Spektral parametrli ikinci tərtib elliptik tip diferensial-operator tənlikləri üçün sərhəd şərtlərinə spektral parametr və qeyri-məhdud operator daxil olduqda sərhəd məsələlərinin həll olunması və onların spektral xassələrinin öyrənilməsi.

1. 14-th RE Research Conference, North Dacota State Univ., USA,(ABŞ 1979);
2. Rusiya, Çernoqolovka, 1981;
3. Malaga, Spain (İspaniya) 1983;
4. Rusiya, İrkutsk, 1989;
5. International Conference on Solar Energy and the Islamic countries (SEIC), Iran, Tehran, 1995;
6. 2 Inter-national Non-Renewable Energy Sources Congress Tehran, Iran, 1998;
7. International Conference on Fluid and Thermal Energy Conversion, Indonesiya, Bandung, 2000;
8. The 23 Conference on Solid State Science & Workshop on Physics and Appli-cation Potential of Functional Ceramic, Thin Films, Sharm El-Sheikh, Sinai., Egypt,(Misir) 2002;
9. Х1 Υoĝun Madde Fiziĝi, Ankara Toplantısı (Türkiyə) 2004;
10. Türk Fizik Dernegi 23. Fizik Kongresi, 2005, Muĝla-Türkiyə; Atom-Molekul ve cekirdek sistemlerininm yapıları ve spektrumları, Uluslara. Konf., Canak-kale, 18 mart Universitesi (Türkiyə) 2005;
11. Third Intern. Conference on Technical and Physical Problems in Power Engineering, Ankara (Turkiyə) 2006;
12. 6-th International Conference of the Balkan Physical Union (BPU-6), Stanbul (Türkiyə) 2006;
13. Condensed Matter Phys Conference of Balkan Countries cmpc-bc 2008, Mugla (Turkiyə).

1. Mamedov A. M, Lebedeva N. N., Efendieva İ. M. "Domain Structure and Optical Properties of Gadolinium Molibdate", 14-th RE Research Conference, Jun. 25–28, 1979, North Dacota State Univ., USA, 1979.
2. Mamedov, A. M; Shilnikov, V. I; Efendieva I. M. "Analysis of Ba2NaNb5O15 reflection spectra by the Kramers-Kronig method" Optika I Spektroskopiya, v.53, i.1, p. 5–7, 1982
3. Mamedov M. A., Osman M. A., Efendieva I. M. "VUV spectra and electron structure of oxygen-tetrahedral ferroelectrics" V European Meeting on Ferro-electricity. (Abstracts), Malaga, Spain, p. 4014, 1983.
4. Osman M. A., Mamedov A. M ., Efendieva İ. M. "Light-scattering in Gadolinium Molybdate due to domain-structure" Journal of physics-condensed matter, v.2, i.28, 1989.
5. Afandiyeva I. M., Askerov Sh. G., Abdullayeva L. K., Aslanov Sh. S. The obtaining of Al-Ti10W90/n-Si Schottky diodes and investigation of their interface surface state density. Solid State Electronics, 51,2007, p. 1096.
6. Əfəndiyeva İ. M., Ş. Q. Əskərov, L. K. Abdullayeva, və b. "Al0,8Ni0,2/nSi diodları ayrılma sərhəddinin electron xassələri" Fizika, XIII, № 3,2007, s. 62.
7. Afandiyeva I. M., Dökme İ., Altındal Ş., Bülbül M., Tataroĝlu A. Frequency and voltage effects on the dielectric properties and electrical conductivity of Al-TiW-Pd2Si/n-Si structures. Microelectronic Engineering, 85, 2008, p. 247.
8. Afandiyeva I. M., Dökme İ., Altındal Ş., Askerov Sh. G., Abdullayeva L. K. The frequency and voltage dependent electrical characteristics of Al-TiW-Pd2Si/n-Si structure using I–V, C-V and G/ω-V measurements. Microelectronic Engineering. 85, 2008, p. 365.
9. Dökme İ., Altındal Ş., Afandiyeva I. M. The distribution of the barrier height in Al-TiW-Pd2Si/n-Si Schottky diodes from I-V-T measurements. Semiconductor Science and Technology. 23, 2008, 1.
10. Эфендиева И.М., "Определение эффективной толщины зазора КМП с поликристаллическим металлическим слоем", Труды Международной Конференции "Научно-технический прогресс и современная авиация", Баку, февр. 2009. с.311.
11. Эфендиева И.М., "Исследование электрофизических параметров контактов металл-полупроводник Al-TiCu/n-Si с поликристаллической металлической пленкой" AMEA-nın Xəbərləri, Fiz. riy. elm. seriy. XXX, № 2, 2010, c.118.
12. Эфендиева И.М., "Фрактальные исследования границы раздела КМП Al-TiCu/n-Si" Journal of Qafgaz University, vol.1, 29, 2010, c.86.
13. Üslü H., Altındal Ş, Aydemir U., Dökme İ., Afandiyeva I. M. The interface states and series resistance effects on the forward and reverse bias I–V, C-V and G/ω-V characteristics of Al-TiW-Pd2Si/n-Si Schottky barrier diodes. Journal of Alloys and Compounds, 503,2010, p. 96.
14. Üslü H., Dökme İ., Altındal Ş., Afandiyeva I. M., Illumination effect on I–V, C-V and G/w-V characteristics of Al-TiWPd2Si/n-Si structures at room temperature. Surface and Interface Analysis. 42, 2010, p. 807.
15. Afandiyeva I. M., Özçelik S, Abdullayeva L. K. Photoluminescence study of metal film’s impact on silicon energetic structure. Journal of Qafgaz University, vol.1, 29, 2010, p. 96.
16. Afandiyeva I. M. The temperature, frequency and voltage dependent characteristics of Al-TiW-Pd2Si/n-Si structure using I–V, C—V and G/ω—V measurements. Azerbaijan Journal of Physics-Fizika, XVI,3–4, 2010, p. 102.
17. Afandiyeva I. M. Frequency, voltage and temperature effects on the inductive properties of Al-TiW-PtSi/n-Si Schottky diodes. AMEA-nın Xəbərləri, Fiz.riy.elm., seriy. XXXI, № 2, 2011, s.29.
18. Afandiyeva I. M., M. Bülbül, Ş. Altındal, S. Bengi. Frequency dependent dielectric properties and electrical conductivity of Platinum silicide/Si contact structures with diffusion barrier. Microelectronic Engineering, 93, 2012, p. 50.
19. I. M. Afandiyeva, S. Demirezen, S. Altındal. Temperature dependence of forward and reverse bias current–voltage characteristics in Al–TiW–PtSi/n-Si Schottky barrier diodes with the amorphous diffusion barrier. Journal of Alloys and Compounds, 552 (2013) p. 423–429.
20. Afandiyeva I. M, Ş. Altindal, E. Maril, T. Z. Guliyeva et al. "The investigation of tunnel properties of Al-TiW-PtSi/n-Si (111) (MS) Schottky barrier diodes (SBDs) in the wide temperature range" Journ. of Qafgaz University, vol.2, N2, 2014, p. 107–118.
21. И.М.Эфендиева, Л.К.Абдуллаева, Т.З.Кулиева, и др. "АС-проводимость диодов Шоттки Al-TiW-PtSi/n-Si" Journ. of Qafgaz University, 2015, v.3, N 1. р.49–52.
22. I. M. Afandiyeva, Ş. Altindal, L. K. Abdullayeva et.al. "The frequency and voltage dependentof C-V and G/w-V of Al-TiW-PtSi/n-Si structures at room temperature" Journ. of Qafgaz University, 2015, v.3, N 2. р.105–111.
23. Afandiyeva İ. M., Askerov Sh. G., Abdullayeva L. K., et al. "İllumination dependent I–V characteristics of PtSi/n-Si (111) Schottky barrier diodes (SBDS) at room temperature" Journ. of Qafgaz University, 2016, v.4 № 2, p. 106–114.
24. I. M. Afandiyeva, L. K. Abdullayeva, T. Z. Guliyeva, SH. M. Gojayeva "Influence of Illumination on Dielectric Properties of Al-TiW-PtSi/n-Si Schottky Diodes Baku, Int Confr, "Modern trends in Physics" 22 april 2017, p. 33–37, (Baku, Fizfak, 2017)
25. I. M. Afandiyeva, Ş. Altındal, L. K. Abdullayeva "Illumination dependent electrical characteristics of PtSi/n-Si(111) Schottky barrier diodes (SBDs) at room temperature "J. Modern Technology & Engineering" Vol.2, No.1, 2017, p. 43–56.
26. I. M. Afandiyeva, Ş. Altındal, L. K. Abdullayeva, A. İ. Bayramova "Self-assembled patches in PtSi/n-Si(111) diodes" J. Semicond. 2018, 39 054002