Elçin Hüseynov (alim)

01 yanvar 1986-ci ildə Saatlı rayonunda anadan olmuşdur. 2003-cü ildə Saatlı rayonunda orta məktəbi bitirmişdir. 2003-2007-ci illərdə Bakı Dövlət Universitetinin Fizika fakultəsində fizika ixtisasında bakalavr təhsilini almışdır. 2007-2008 cu illərdə hərbi xidmətdə olmuşdur. 2008-2010- cu illərdə Bakı Dövlət Universitetinin Fizika fakultəsində kvant elektronnikası ixtisasında magistr təhsilini almışdır. 2010-2014- cü illərdə AMEA Radiasiya Problemləri İnstitunun Nüvə Spektroskopiya laboratoriyasında elmi işçi vəzifəsində çalışmışdır. 2011-2014- cü illərdə AMEA Radiasiya Problemləri İnstitununda doktrant olmuşdur. 2014- cü ildə AMEA Radiasiya Problemləri İnstitununda fizika üzrə fəlsəfə doktorluğu müdafiə etmişdir. 2014- cü ildən AMEA Radiasiya Problemləri İnstitununda böyük elmi işçidir. 2014- cü ildən Milli Nüvə Tədqiqatları Mərkəzinin Radiasiya materialşünaslığı və radiasion nanotexnologiya şöbəndə rəhbərdir. 2015- ci ildən Bakı Dövlət Universitetində müəllimdir. 2021- ci illərdə AMEA Radiasiya Problemləri İnstitununda fizika üzrə elmlər doktorluğu müdafiə etmişdir.

Elçin Hüseynov
Hüseynov Elçin Məmmədəli oğlu
Doğum tarixi	1 yanvar 1986(1986-01-01) (38 yaş)
Doğum yeri	Saatlı rayonu, Azərbaycan SSR, SSRİ
Vətəndaşlığı	SSRİ→ Azərbaycan
Milliyyəti	azərbaycanlı
İş yeri	AMEA
Təhsili	Bakı Dövlət Universiteti

Hüseynov Elçin Məmmədəli oğlu işlədiyi müddət ərzində ABŞ, Almaniya, İtaliya, Fransa, Çex Respublikası, Avstriya, Sloveniya, Türkiyə, Rusiya və s. ölkələrin nüfuzlu mərkəzlərində radiasiya fizikası, nanoelektronnika və nanonüvə texnologiyaları ilə əlaqədar müxtəlif işlər görmüş, konfrans və tədbirlərdə iştirak etmişdir. Hüseynov Elçin Məmmədəli oğlu 93 elmi əsərin müəllifidir ki, onlardan da 50-ə qədəri dünyanın reytinqli və indeksli jurnallarda çap olunmuşdur (Applied Physics A, Physics Letters A, Ceramics International, Solid State Sciences, Physica B: (Elsevier), NANO, Silicon (Springer) və s.). Əksəriyyəti reytinqli jurnallarda olmaqla tək müəllif məqalələrinin sayı 15-dir. Hüseynov Elçin Məmmədəli oğlunun beynəlxalq qiymətləndirmə sistemlərində h – indeksi 23, i10-indeksi 30, istinad sayi 1000 - ə yaxındır. ^[1]

Hüseynov Elçin Məmmədəli oğlu ilk dəfə olaraq, 3C-SiC nanokristallarında neytron çevrilmələri tapılmış və nanokristallik 3C-SiC hissəcikləri daxilində neytron transmutasiyası üsulu ilə n – tip aşqarlar alınmışdır. Neytron seli ilə şüalanma nəticəsində nanokristallik 3C-SiC hissəciklərində maksimum 70-80 nm tərtibində aqloremasiyanın olması HRTEM, TEM, FESEM və SEM analizləri ilə göstərilmişdir.^[2]

Neytron şüalanmadan sonra nanokristallik 3C-SiC hissəciklərinin səthində qalınlığı təqribən 3nm olan amorf təbəqə müəyyən edimişdir. HRTEM analizləri ilə 3C-SiC hissəciklərinin nanokristallik təbiəti təsdiqlənmiş və neytronlarla şüalanmadan sonra nanomaterialda yaranan defektlər və ya klasterlər “ləkələr” kimi müəyyən edilmişdir.

Neytron seli ilə şüalanma zamanı 3C-SiC nanokristallarında RIC keciriciliyi müəyyən olunmuşdur və neytronlarla n – tip aşqarlanma nəticəsində 3C-SiC nanokristallarında elektrik keçiriciliyinin ədədi qiymətinin 7.5x10-4 S/m-ə qədər və ya təqribən 5.5 dəfə artması göstərilmişdir.

İmpedans spektroskopiyasından tezliyin 0.1MHz, 1MHz və 2.5MHz qiymətlərinə uyğun olaraq TMS = 250K, 325K və 370K temperaturlarda 3C-SiC nanokristallarında metal-yarımkeçirici keçidi tapılmışdır və 3C-SiC nanokristallarının müqavimətinin neytronlarla şüalanmadan sonra təqribən 4 MΩ-dan 1 MΩ-a qədər azalması göstərilmişdir.

Neytronlarla şüalanmadan sonra g – faktorun fərqli qiymətlərində paramaqnit mərkəzlərin ümumi sayının təqribən iki dəfə artması göstərilmişdir. Eyni zamanda BN nanohissəciklərində neytron selinin təsiri ilə baş verən dəyişikliklər göstərilmişdir.

Göstərilmişdir ki, neytron seli ilə modifikasiya olunaraq 3C-SiC nanokristallarının bəzi fiziki xüsusiyyətləri idarə oluna bilir ki, bu da həmin materialın elektronikada tətbiq imkanlarını artırır. Neytron selinin təsir müddəti ilə nanokristallik 3C-SiC hissəciklərində yaranan aşqarların konsentrasiyasını idarə etmək olar. Yeni yaranmış aşqar elementlərin konsentrasiyasının dəyişməsi, birbaşa nanomaterialın fiziki xasələrinin dəyişməsinə səbəb olur. İşindən alınan nəticələr, radiasiya materialşünaslığı, nüvə fizikası, nanostrukturlar və yarımkeçiricilər fizikası sahələrinin kombinasiyası çərçivəsində multidissiplinar şəkildə tətbiq edilə bilər. Eyni zamanda alınmış yeni və mükəmməl xüsusiyyətlərə malik nanomaterial iqtisadi cəhətdən daha əlverişlidir. Digər tərəfdən, nanomaterialın fiziki xassələrinin idarə olunması digər alternativ materialların bu materiallarla əvəz olunmasına imkan verəcək. Ümumi yanaşmada, neytron transmutasiyası nəticəsində alınmış yeni xüsusiyyətli 3C-SiC nanokristalları mikroelektronika, nanoelektronika, mikroelektromexaniki sistemlər (MEMS), nanoelektromexaniki sistemlər (NEMS) və ionlaşdırıcı mühitlər (peyk (fəza) texnologiyalarında, nüvə texnologiyalarında və s.) kimi bir sıra sahələrdə geniş tətbiq potensialına malikdir.

1. Elchin Huseynov, Anze Jazbec, Luka Snoj "Temperature vs. impedance dependencies of neutron-irradiated nanocrystalline silicon carbide (3C-SiC)" Applied Physics A 125, 91-98, 2019
2. Elchin Huseynov, Anze Jazbec "EPR spectroscopic studies of neutron-irradiated nanocrystalline silicon carbide (3C-SiC)" Silicon 11/4, 1801–1807, 2019
3. Elchin M. Huseynov, et al. "EPR spectroscopy of neutron irradiated nanocrystalline boron nitride (h-BN) particles" Ceramics International 47, 5, 7218-7223, 2021
4. Elchin M. Huseynov & Tural G. Naghiyev "Study of thermal parameters of nanocrystalline silicon carbide (3C-SiC) using DSC spectroscopy" Applied Physics A 127, 267, 2021
5. Elchin M. Huseynov, Tural G. Naghiyev, Nijat R. Abasov "The paramagnetic approach of the color-changing of nano BN particle under the neutron irradiation" Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, Article in press, 2022
6. Elchin M. Huseynov, Tural G. Naghiyev "Various thermal parameters investigation of 3C-SiC nanoparticles at the different heating rates" Applied Physics A, Article in press, 2022
7. Elchin M. Huseynov, Tural G. Naghiyev, Ulviyya S. Aliyeva "Thermal parameters investigation of neutron-irradiated nanocrystalline silicon carbide (3C-SiC) using DTA, TGA and DTG methods" Physica B: Condensed Matter 577, 411788, 2020
8. Elchin M. Huseynov "Thermal stability and heat flux investigation of neutron-irradiated nanocrystalline silicon carbide (3C-SiC) using DSC spectroscopy" Ceramics International 46/5, 5645-5648, 2020
9. Elchin M. Huseynov "Electrical impedance spectroscopy of neutron-irradiated nanocrystalline silicon carbide (3C-SiC)" Applied Physics A, 124:19, 2018
10. Elchin M. Huseynov "Neutron irradiation, amorphous transformation and agglomeration effects on the permittivity of nanocrystalline silicon carbide (3C-SiC)" NANO 13/3, 1830002, 2018
11. Elchin M. Huseynov "Dielectric loss of neutron-irradiated nanocrystalline silicon carbide (3C-SiC) as a function of frequency and temperature" Solid State Sciences 84, 44-50, 2018
12. Elchin M. Huseynov "Current-voltage characteristics of neutron irradiated nanocrystalline silicon carbide (3CSiC)" Physica B: Condensed Matter 544, 23-27, 2018
13. Elchin Huseynov, et al. "Fourier transform infrared spectroscopic study of gamma irradiated SiO2 nanoparticles" International Journal of Modern Physics B 32/7, 1850074, 2018
14. Elchin Huseynov, et al. "Effects of Neutron Flux, Frequency and Temperature on the Dielectric Loss of Nano SiO2 Particles" Silicon 10/2, 191–196, 2018
15. Elchin M. Huseynov "Neutron irradiation effects on the temperature dependencies of electrical conductivity of silicon carbide (3C-SiC) nanoparticles" Silicon 10/3, 995–1001, 2018
16. Elchin Huseynov "Neutron irradiation and frequency effects on the electrical conductivity of nanocrystalline silicon carbide (3C-SiC)" Physics Letters A 380/38, 3086-3091, 2016
17. Elchin Huseynov, et al. "Effects of neutron flux on the temperature dependencies of permittivity of 3C-SiC nanoparticles" Silicon 9/5, 753–759, 2017
18. Elchin Huseynov, Anze Jazbec "Trace elements study of high purity nanocrystalline silicon carbide (3C-SiC) using k0-INAA method" Physica B: Condensed Matter 517, 30–34, 2017
19. Elchin M. Huseynov "Permittivity-frequency dependencies study of neutron-irradiated nanocrystalline silicon carbide (3C-SiC)" NANO 12, No. 6, 1750068, 2017
20. Elchin M. Huseynov "Investigation of the agglomeration and amorphous transformation effects of neutron irradiation on the nanocrystalline silicon carbide (3C-SiC) using TEM and SEM methods" Physica B: Condensed Matter 510, 99–103, 2017
21. Elchin Huseynov, et al. "Effects of neutron flux on the nano silica particles: ESR study" Modern Physics Letters B 30/8, 1650115, 2016
22. Elchin Huseynov, Adil Garibov, Ravan Mehdiyeva "TEM and SEM study of nano SiO2 particles exposed to influence of neutron flux" Journal of Materials Research and Technology 5/3, 213–218, 2016
23. Elchin Huseynov, Adil Garibov, Ravan Mehdiyeva "Influence of neutron irradiation and temperature on the electric conductivity of SiO2 nanoparticles" Journal of Electrostatics 74, 73–78, 2015
24. Elchin Huseynov, et al. "Influence of neutron flux, frequency and temperature to electrical impedance of nano silica particles" American Institute of Physics, Advances 4, 117122 (2014)
25. Elchin Huseynov, et al. "Effect of neutron flux, temperature and frequency on the permittivity of nanocrystalline silica" International Journal of Modern Physics B, Vol. 28/30, 1450213 (2014)
26. Elchin Huseynov, et al. "Temperature and frequency dependence of electric conductivity in nano-grained SiO2 exposed to neutron irradiation" Physica B: Condensed Matter 450, 77 – 83, 2014
27. Elchin Huseynov, et al. "Study of blend composition of nano silica under the influence of neutron flux" Nano Convergence 2014 1:21

• AMEA
• BDU
• "History of Science" jurnalı