Elmira Kərimova
Elmira Kərimova (31 dekabr 1941, Qasım İsmayılov rayonu – 10 dekabr 2021) — fizikaçı-alim
• Elmi əsərlərinin sayı- 585
• Xaricdə dərc olunan əsərlərinin sayı- 340
• Beynəlxalq bazalarda indeksləşən jurnallarda (Web of Science, Scopus və s.) dərc olunan əsərlərinin sayı — 160
• Monoqrafiya və kitablarının sayı- 1(708səh)
• Müəlliflik şəhadətnamələrinin və patentlərin sayı- 23
• Elmi-pedaqoji fəaliyyəti- 1963–1965 Azərbaycan Texniki Universiteti; müəllim
• Dil bilikləri — Azərbaycan, Rus dillərini sərbəst bilir, İngilis dillini orta
1. Bərk məhlulların tərkibinin onların fiziki xassələrinə təsirinin analizi göstərdi ki, keçid metallarının miqdarının artması ilə qadağan olunmuş zonanın eni artır və eksiton enerjisinin maksimumuna uyğun gələn qiyməti xətti olaraq artır. Bundan başqa rentgenkeçiricilik 2÷3 dəfə artması müşahidə olunur və faza keçidlərinə uyğun temperatur aşağı oblastlara doğru yerini dəyişir. 1,8K temperaturda TlGaS2 monokristalında eksiton lüminesensiya udulma və kombinasyon səpilmə spektri tədqiq olunmuşdur. 2,48–2,54ev intervalında çoxzolaqlı fotolüminisensiya müəyyən edilmişdir ki, bu da çəp eksitonun fononları emissiya etməsi rekombinasiya şüalanması əsasında izah olunur. Düz eksitona uyğun gələn eksitonun energetik vəziyyəti (2,606eV) və çəp eksitona uyğun gələn (2,540eV) enerji təyin edilmişdir.
2. TlGa1-xFexS2 monokristalında λ- modulyasiya modulyasiya metodu ilə tədqiqi nəticəsində eksiton udulma oblastında müəyyən edilmişdir ki, GaFe (1–2 at%) əvəzləməsi nəticəsində eksiton zolağının sürüşməsi baş verir. Fe atomlarının konsentrasiyası artdıqca eksiton piki udulma sərhəddində itir. Bu monokristallarda laylar arası əlaqənin güclü dəyişməsi ilə izah olunur.
3. TlIn1-xFexS2 (x=00,01) monokristalında In atomlarının Fe atomları ilə qismən əvəz olunması nəticəsində alınmış nəticələr göstərdi ki, x-in artması ilə fotokeçiriciliyin sərhəddi daha uzundalğalı oblasta döğru yerini dəyişir (826nm-dən 1127nm-ə qədər), seqnetoelektrik faza keçidinə uyğun gələn temperatur 200K-dən 185K-ə doğru sürüşür, fonon spektri isə 250÷350sm-1 oblastında dəyişikliyə məruz qalır.
4. A3B6; A3B3C26 və onların bərk məhlulları olan [ (TlGaSe)1-x(TlInSe2)x; Tl(GaS2)1-x(InSe2)x; Tl(InS2)1-x(FeSe2)x; TlGa1-xFexS2] monokristalların rentgenkeçiriciliyi və rentgendozimetrik xarakteristikalarının xüsusiyyətləri öyrənilmişdir.