POLYARLAŞMA

Dielektriklərin polyarlaşması — elektrik sahəsinin təsiri altında dielektrikin əlaqəli elektrik yüklərinin sahə istiqamətində kiçik məsafələrə yerdəyişmə etməsidir. == Dielektriklər elektrik sahəsində == Dielektriklərə elektrik sahəsi ilə təsir etdikdə ,onlarda baş verən əsas fiziki proses dilektrlərin polyarlaşmasıdır.Polyarlaşma ilə əlaqədar yüklərin kiçik məsafələrə yerdəyişmə etməsi, yaxud da dipol molekulların sahə istiqamətində oriyentasiya olunmasıdır. Dielektriklərin polyarlaşması ilə əlaqədər proseslər barədə dielektrik nüfuzluğunun qiymətinə görə fikir söyləmək olar və əgər dilektriklərin polyarlaşması dielektrikin qızmasına səbəb olan enerji itkiləri ilə müşayət olunarsa, dielektrik itki bucağının qiymətinə görə fikir söyləmək olar. Texniki dielktriklərdə sərbəst yüklərin olmasına görə elektrik gərginliyi ilə təsir etdikdə onlarda çox kiçik qiymətə malik, dielektrik qlınlığından və onun səthindən keçən keçiricilik cərəyanı yaranır. Bu hadisə ilə əlaqədər olaraq dielktrik xüsusi həcmi keçiricilik və xüsusi səthi keçi-riciliklə xarakterizə olunur. Xüsusi həcmi və səthi müqavimətinin xüsusi həcmi səthi tərs qiymətinə uyğundur. İstənilən dielktrikin onun üçün xarakterik olan müəyyən şəraitdə işçi gərginliyinin məhdud qiyməti vardır.Bu gərginlikdən yüksək gərginliklərdə dielektrikin deşilmə hadisəsi baş verir,bu zaman izolzasiya xassələri təmamilə itir. == Dielektriklərin polyarizasiyası == Elektrik sahəsinin təsiri altında dielektrikin əlaqəli elektrik yükləri sahə istiqamətində kiçik məsafələrə yerdəyişmə edir. Müsbət yüklər sahə istiqamətində, mənfi yüklər isə sahəyə əks istiqamətdə yerdəyişmə edirlər. Elektrik sahəsi götürüldükdən sonra yüklər öz əvvəliki halına qayıdırlar.

PN keçidi — Elektronika sənayesində istifadə edilən diod, tranzistor və inteqral (İC) dövrə elementlərinin istehsalında istifadə edilir. Silisium və ya Germanium kristalına kifayət qədər aşqar olunaraq, p-tipli və n-tipli maddələr yaradılmışdı. Bu maddələr tək halda elektrik funksiyaları yerinə yetirməzlər. P və N tipli element bir arada istifadə edilsə, bu keçidə P-N keçidi deyilər. Böyük və kiçik daşıyıcılarının ikisi də göstərilmişdir. Şəkildə P-N keçidi sahəsində müsbət və mənfi ionlarla yaradılan gərginlik səddi görülür. Yaranan bu gərginlik səddi; 25℃-də silisium üçün maneə 0.7 volt, germanium üçün 0.3 volt civarındadır. Bu gərginliyə "diodun əks gərginliyi" deyilir. Diodun əks gərginliyi temperaturdan təsirlənir. Məsələn, temperatur miqdar-ındakı hər 1℃ artım, diodun əks gərginliyinin təxminən 2.3mv azalmasına səbəb olur.